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SIR-56ST3F
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Fig.6 Directional pattern
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SIR642DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR644DP-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:N-CH POWERPAK SO-8 BWL SPLIT GATE 40V 2.7MOHM@10V - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V SO-8 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Ch PowerPAK SO-8 BWL split gate 40V 2.7mohm@10V
SIR662DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
SIR662DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR664DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 6mOhm@10V 60A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:60 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏极连续电流:60 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:6 mOhms 配置:Single 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8 封装:Reel